Электронные
Компоненты
О фирме Продукция Контакты Ссылки Киев Распродажа

КТ503А,Б,В,Г,Д,Е

    	
 	NPN КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО – ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР
 	
  ПРЕДНАЗНАЧЕН ДЛЯ РАБОТЫ В НИЗКОЧАСТОТНЫХ УСТРОЙСТВАХ
            АППАРАТУРЫ ШИРОКОГО ПРИМЕНЕНИЯ
* Комплементарная пара - КТ502А-Е
* Заpубежный аналог – KSC815
* Изготавливается в корпусе КТ-26 (ТО-92).
ТО-92
1 – Коллектор 2 – База 3 – Эмиттер
  

ПРЕДЕЛЬНО- ДОПУСТИМЫЕ РЕЖИМЫ ЭКСПЛУАТАЦИИ

ПараметрыОбозначениеЕд. измер.КТ503АКТ503БКТ503ВКТ503ГКТ503ДКТ503Е
Напряжение коллектор-базаUкб maxВ404060608090
Напpяжение коллектоp-эмиттеpUкэ maxВ252540406080
Напряжение эмиттер-базаUэб maxВ5
Постоянный ток коллектораIк maxмА150
Постоянный ток базыIб maxмА100
Импульсный ток коллектора (tи≤10 мс, Q ≥10) Iки max мА 300
Рассеиваемая мощность коллектораPк maxмВт350
Температура переходаTj°C150

ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ

( Tокр.ср.=25°C )
ПаpаметpыОбозначениеЕд. измеpРежимы измеpенияMinMax
Гр. напряжение коллектор-эмиттер Uкэо гp. B Iк=10mA, Iб=0 25-80
Обратный ток коллектора Iкбo мкА Uкб= Uкб max 1
Статический коэффициент передачи тока h21Е Uкэ=5B, Iк=10 мA 40 240
Напряжение насыщения коллектор-эмиттерUкэ(нас) В Iк=10 мA, Iб=1 мA 0,6
Напряжение насыщения база-эмиттер Uбэ(нас)* В Iк=10 мA, Iб=1 мA 1,2
Граничная частота коэф. передачи тока fгр. * МГц Uкб= 5B, Iэ=-3 мA 5
Емкость коллекторного перехода Ск * пФ Uкб= 5B, f=1МГц 50

КТ3102
КТ3102АМ
КТ3107(А...Л)
КТ315
КТ503
КТ805(АМ,БМ,ВМ)
КТ816
КТ818(АМ,БМ,ВМ,ГМ)
КТ825, КТ827, КТ829
КТ827(А,Б,В)
КТ838(А,Б,В)


Обозначения зарубежных транзисторов
Сравнение параметров транзисторов
О фирме Продукция Контакты Ссылки Киев Распродажа